GT35J321 Toshiba
24,00 RON
Preturile afisate sunt finale. Taxa de procesare si expediere este invers proportionala cu valoarea comenzii.
Descriere
Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT 600V 50A (100App) 75W 0,19uS TO3P. Cross Reference: 35J321 G35J321.