GT35J321 Toshiba

24,00 RON
Costurile de livrare nu sunt incluse in pret!
Disponibil in stoc

Descriere

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT 600V 50A (100App) 75W 0,19uS TO3P. Cross Reference: 35J321 G35J321.

Detalii

Ce spun clientii

Detii sau ai utilizat produsul?
Posteaza review