50N322 / GT50N322 Toshiba

50N322 / GT50N322 Toshiba

20,00 RON
Taxa de livrare nu este inclusa in pret ! Imaginile produselor au titlu informativ !
Disponibil in stoc

Descriere

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT 1000V 60A (120App) 160W TO218. Cross Reference: 50N322A GT50N322 GT50N322A.

Ce spun clientii

Detii sau ai utilizat produsul?

Posteaza comentariu