50N322 / GT50N322 Toshiba
26,00 RON
Preturile afisate sunt finale, stocurile reale. Taxa de procesare si expediere este invers proportionala cu valoarea comenzii.
Descriere
Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT 1000V 60A (120App) 160W TO218. Cross Reference: 50N322A GT50N322 GT50N322A.