50J325 / GT50J325 Toshiba
48,00 RON
Preturile afisate sunt finale, stocurile reale. Taxa de procesare si expediere este invers proportionala cu valoarea comenzii.
Descriere
IGBT-N + Dioda, 600V 50A 100App 240W tf =0.05uS 50kHz TO3PL. Insulated Gate Bipolar, High Input Impedance / High Power Transistor.