50J301 / GT50J301 Toshiba

28,00 RON
Preturile afisate sunt finale, stocurile reale. Taxa de procesare si expediere este invers proportionala cu valoarea comenzii.
Stoc 1
* * * * *
Adauga la Favorite

Descriere

IGBT-N 600V 150A 200W tf =0.2uS (IC=50A) TO3PL. Insulated Gate Bipolar, High Input Impedance / High Power Transistor.