50J101 / GT50J101 Toshiba
24,00 RON
Preturile afisate sunt finale. Taxa de procesare si expediere este invers proportionala cu valoarea comenzii.
Descriere
IGBT-N 600V 50A 100App 200W tf =0.35uS (IC=50A) TO3PL. Insulated Gate Bipolar, High Input Impedance / High Power Transistor.