50J101 / GT50J101 Toshiba
RON 24.00
Preturile afisate sunt finale, stocurile reale. Taxa de procesare si expediere este invers proportionala cu valoarea comenzii.
Description
IGBT-N 600V 50A 100App 200W tf =0.35uS (IC=50A) TO3PL. Insulated Gate Bipolar, High Input Impedance / High Power Transistor.